Modellierung Und Charakterisierung Des Elektrischen Verhaltens Von Haftstellen-Basierten Flash-Speicherzellen
| AUTHOR | Melde, Thomas |
| PUBLISHER | Logos Verlag Berlin (03/30/2011) |
| PRODUCT TYPE | Paperback (Paperback) |
Description
Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mogliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunachst mittels Simulation und ausgewahlten Messverfahren das Verstandnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Anderungen der verwendeten Materialien und dem raumlichen Aufbau. Abschliessend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.
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Product Format
Product Details
ISBN-13:
9783832527488
ISBN-10:
3832527486
Binding:
Paperback or Softback (Trade Paperback (Us))
Content Language:
German
More Product Details
Page Count:
156
Carton Quantity:
1
Country of Origin:
US
Subject Information
BISAC Categories
Computers | General
Descriptions, Reviews, Etc.
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Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mogliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunachst mittels Simulation und ausgewahlten Messverfahren das Verstandnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Anderungen der verwendeten Materialien und dem raumlichen Aufbau. Abschliessend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.
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