Les progr s r alis s dans l' lectronique conduit une relance du d bat sur la fiabilit et la dur e de vie des composants ou des syst mes. La temp rature limite la dur e de vie et joue un r le essentiel dans les m canismes de d gradation, n anmoins reste la principale cause dans la majorit des cas. Dans ce contexte, ce livre pr sente une synth se des effets de porteurs chauds sur les performances de dispositif RF LDMOS de puissance, apr s tests de vieillissement sous diverses conditions. Une caract risation pr cieuse (IC-CAP) a t effectu e et un nouveau mod le lectrothermique (ADS) a t implant prenant en compte l' volution de la temp rature, lequel est utilis comme outil de fiabilit (extraction des param tres). Par la suite, un examen complet des d rives des param tres lectriques critiques est expos et analys . Pour parvenir une meilleure compr hension des ph nom nes physiques de d gradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel une simulation physique 2-D (Silvaco-Atlas). Finalement, l' tude montre que le m canisme de d gradation est le ph nom ne d'injection des porteurs chauds dans les pi ges d'oxyde d j existants et/ou dans l'interface Si/ SiO2.