Dans ce m moire de th se, nous proposons une m thodologie de mod lisation lectrique prenant en compte les effets de la temp rature sur les ph nom nes localis s qui initient une d faillance souvent fatale. En pr vision de la simulation lectrothermique coupl e impliquant des transistors MOS de puissance, un mod le lectrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a t d velopp . Une attention particuli re a t accord e l' tude des ph nom nes parasites qui pourraient survenir de mani re tr s localis e suite une r partition inhomog ne de la temp rature et l'apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le d clenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont t mod lis s. Des bancs sp cifiques pour la validation du mod le pour les r gimes extr mes ont t utilis s en prenant des pr cautions li es la haute temp rature. Enfin, Le mod le lectrique thermosensible complet d velopp a t utilis par la soci t Epsilon ing nierie pour faire des simulations lectrothermiques du MOS de puissance en mode d'avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D.