V rabote izucheny vliyanie magnitnogo polya na osnovnye fizicheskie protsessy, protekayushchie v tranzistornykh strukturakh (inzhektsiya, perenos i ekstraktsiya neosnovnykh nositeley), i vozmozhnosti sozdaniya na baze takikh struktur preobrazovateley magnitnogo polya s razlichnymi svoystvami. Opredeleny osnovnye mekhanizmy chuvstvitel'nosti i postroeny fizicheskie i matematicheskie modeli takikh struktur. Ustanovlena zavisimost' ikh elektrofizicheskikh parametrov ot konstruktsionno-tekhnologicheskikh faktorov i elektricheskogo rezhima. Issledovany sozdannye na osnove tranzistornykh struktur magnitochuvstvitel'nye elementy funktsional'noy elektroniki, obladayushchie, za schet sochetaniya bazovogo effekta pereraspredeleniya kontsentratsii inzhektirovannykh nositeley pod deystviem magnitnogo polya s drugimi elektronnymi effektami, ryadom spetsial'nykh svoystv (porogovaya i pereklyuchatel'naya reaktsii na magnitnoe pole, polozhitel'nyy temperaturnyy koeffitsient magnitochuvstvitel'nosti i pr.). Rassmotreny voprosy razrabotki radioelektronnykh ustroystv razlichnogo funktsional'nogo naznacheniya na osnove magnitotranzistorov.