Du fait de sa grande constante di lectrique et sa large bande interdite, l'oxyde d'hafnium a r cemment t propos pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette th se tait de faire un point sur les propri t s lectriques de ce nouveau mat riau et de mieux comprendre les difficult s rencontr es par l'industrie de la micro lectronique pour int grer cet oxyde alternatif dans les futurs transistors CMOS. Cette th se est organis e en quatre chapitres. Chacun d'entre eux est consacr une propri t lectrique essentielle de l'empilement haute permittivit L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction travers l'isolant, les d fauts lectriques dans l'oxyde et la fiabilit du di lectrique.