L'holographie lectronique "off-axis" est une technique de MET sensible la densit locale de porteurs, elle permet facilement une cartographie 2D du potentiel lectrostatique et, par son large champ de vue, une analyse des profils de dopants actifs, directement utilisable pour le calibrage des outils de simulation des proc d s. Les travaux de cette th se ont pour objet, d'une part l' tablissement de protocoles de pr paration des chantillons, d'acquisition des donn es en holographie lectronique, et d'autre part la comparaison entre les r sultats de la mesure et ceux de la simulation num rique des proc d s de fabrication de la micro lectronique. L' tude porte sur l'implantation d'Arsenic dans le canal de transistors 'nMOS', issus d'une technologie sur film mince (10 50nm). Cet ouvrage explore les capacit s et les limites de l'holographie lectronique travers l'analyse d' chantillons de complexit croissante: depuis une image dans le vide un transistor de derni re g n ration. Chaque tape est appuy e par une confrontation aux mod les math matiques existants, et la simulation num rique.