Niniejsza praca jest poświęcona analizie termodynamicznej proces w fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych związku p lprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukladzie przeplywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu proces w technologicznych w celu prognozowania możliwych wariant w technologicznych i określenia optymalnych warunk w syntezy tego związku. Podano wyniki badań nad definiowaniem i obliczaniem parametr w termodynamicznych poszczeg lnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu proces w wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano związek pomiędzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi źr dlami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametr w technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukladzie transportu gazu przeplywowego z wydzielonymi źr dlami galu i selenu.