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Tecnologie dell'informazione attraverso transizioni di fase toptattiche

AUTHOR Nallagatla, Venkata Raveendra
PUBLISHER Edizioni Sapienza (04/13/2024)
PRODUCT TYPE Paperback (Paperback)

Description
I dispositivi memristivi redox, guidati dalla migrazione dell'ossigeno, sono promettenti per la memorizzazione dei dati in futuro. Le strutture di brownmillerite, come SrCoO2.5 e SrFeO2.5, consentono transizioni di fase toptattiche reversibili, ottimizzando la commutazione redox e resistiva nei dispositivi memristive. Le sfide dei film sottili di SrCoO2.5 sono state affrontate con SrFeO2.5 atomicamente piatto, che ha mostrato prestazioni migliori. La crescita epitassiale su SrTiO3 orientato a [111] migliora la migrazione controllata degli ioni di ossigeno, ottenendo un'elevata resistenza e una commutazione rapida. La spettromicroscopia di assorbimento dei raggi X rivela il ruolo della transizione di fase basata sul redox e i dispositivi orientati al [111] mostrano transizioni localizzate. I dispositivi SrFeO2.5 (111) dimostrano una promettente funzionalità di memoria sinaptica, contribuendo a un modello di rete neurale con una precisione del 90% nell'identificazione di numeri scritti a mano.
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Product Format
Product Details
ISBN-13: 9786207383290
ISBN-10: 620738329X
Binding: Paperback or Softback (Trade Paperback (Us))
Content Language: Italian
More Product Details
Page Count: 104
Carton Quantity: 68
Product Dimensions: 6.00 x 0.25 x 9.00 inches
Weight: 0.36 pound(s)
Country of Origin: US
Subject Information
BISAC Categories
Technology & Engineering | Electronics - General
Descriptions, Reviews, Etc.
publisher marketing
I dispositivi memristivi redox, guidati dalla migrazione dell'ossigeno, sono promettenti per la memorizzazione dei dati in futuro. Le strutture di brownmillerite, come SrCoO2.5 e SrFeO2.5, consentono transizioni di fase toptattiche reversibili, ottimizzando la commutazione redox e resistiva nei dispositivi memristive. Le sfide dei film sottili di SrCoO2.5 sono state affrontate con SrFeO2.5 atomicamente piatto, che ha mostrato prestazioni migliori. La crescita epitassiale su SrTiO3 orientato a [111] migliora la migrazione controllata degli ioni di ossigeno, ottenendo un'elevata resistenza e una commutazione rapida. La spettromicroscopia di assorbimento dei raggi X rivela il ruolo della transizione di fase basata sul redox e i dispositivi orientati al [111] mostrano transizioni localizzate. I dispositivi SrFeO2.5 (111) dimostrano una promettente funzionalità di memoria sinaptica, contribuendo a un modello di rete neurale con una precisione del 90% nell'identificazione di numeri scritti a mano.
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