Zu?ycie energii przez pami?c glówn? ma znacz?cy wplyw na wydajno?c systemu mikroprocesorowego. Moc generowana z energii zu?ywanej przez pami?c glówn? jest jednym z krytycznych ogranicze? wydajno?ci mikroprocesora. Jest to szczególnie widoczne w przeno?nych urz?dzeniach komputerowych i komputerach wbudowanych, takich jak telefony komórkowe, PDA i laptopy.Magnetyczna pami?c RAM (MRAM) to nowa technologia pami?ci, która l?czy w sobie du?? szybko?c statycznej pami?ci RAM (SRAM), dost?p, g?sto?c i koszt charakterystyczny dla pami?ci DRAM. SRAM to technologia pami?ci nieulotnej, która zachowuje dane w swoich komórkach bez wst?pnego ladowania. Jest ona najcz??ciej wykorzystywana jako pami?c podr?czna w komputerach. Pami?c MRAM wykorzystuje magnetyzm do przechowywania bitów danych. Wykorzystuje ona polaryzacj? magnetyczn? cienkiej warstwy ferromagnetycznej do przechowywania danych. Do zmiany polaryzacji magnetycznej komórki wykorzystywana jest energia elektryczna.