L'objet de cette tude est la gravure par plasma de mat riaux hybrides SiOC(H). Leurs propri t s ajustables entre organiques et inorganiques leurs donnent de grandes potentialit s. Ce travail est d di deux applications en micro lectronique. 1)L' tude s'est port e sur des polym res base de Polyhedral oligomeric silsesquioxane appliqu e la lithographie optique. Les analyses ont t particuli rement pouss es au moyens de mesures XPS et d'ellipsom trie. Ce travail a mis en vidence des effets de s gr gation en surface et a permis de d velopper un mod le de la gravure en plasma oxydant. 2) Les mat riaux SiOC(H) peuvent tre utilis comme isolant d'interconnexion gr ce leur faible permittivit . Les plasmas fluorocarbon s ont servi obtenir une vitesse de gravure lev e et une grande s lectivit avec le masque en SiC(H). Les caract risations montrent que la composition du mat riau est modifi e sur quelques nanom tres, avec une diminution de la quantit de carbone et qu'une deuxi me couche fluorocarbon e s'y superpose. Des mesures du flux ionique et de la quantit de fluor atomique permettent de mieux appr hender les m canismes de gravure qui r gissent ces mat riaux.